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Si3867DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.20
1200
1000
0.16
V GS = 2.5 V
800
C iss
0.12
600
0.08
V GS = 3.3 V
V GS = 4.5 V
400
C oss
0.04
0.00
200
0
C rss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 10 V
I D = 5.1 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 5.1 A
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
I D = 2 A
I D = 5.1 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72068
S09-2275-Rev. D, 02-Nov-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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